[发明专利]一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置在审
申请号: | 202111092240.5 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN115831956A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 周扬;沈百林;李蒙 | 申请(专利权)人: | 中兴光电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 陈均钦 |
地址: | 210012 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置,该静电释放保护电路用于与有源器件并联,所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件;所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联;或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件;所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。本电路通过若干个二极管组件的连接,可以降低硅光芯片的有源器件遭到静电损坏的风险,提高硅光芯片的品质;而且该保护电路结构简单,可以提高芯片集成度的同时降低封装成本。本申请可广泛应用于硅基光电子技术领域内。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 释放 保护 电路 单元 以及 芯片 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的