[发明专利]一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置

说明书

本申请公开了一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置，该静电释放保护电路用于与有源器件并联，所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件；所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联；或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件；所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。本电路通过若干个二极管组件的连接，可以降低硅光芯片的有源器件遭到静电损坏的风险，提高硅光芯片的品质；而且该保护电路结构简单，可以提高芯片集成度的同时降低封装成本。本申请可广泛应用于硅基光电子技术领域内。

技术领域

本发明涉及硅基光电子领域，特别是一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置。

背景技术

硅光芯片因其高集成度等优点，在光通信、数据中心等领域有着越来越广泛的应用。硅光芯片内部的元件根据是否需要通过外部电压来工作而又区分为有源器件和无源器件。在硅光芯片的实际使用过程中，有源器件极其容易出现静电释放现象，静电释放也叫Electro-Static discharge，简称ESD，静电释放对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，指的是器件被严重损坏，功能丧失；这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中难以被发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。因此，静电释放被认为是电子产品质量最大的潜在杀手，静电防护也成为电子产品质量控制的一项重要内容。在硅光芯片制造行业中，现有的静电释放保护电路多由MOS管及其外围电路组成，这种保护电路器件复杂，容易影响芯片的集成度，而且工艺复杂，制造成本高。随着技术的发展，业内对于芯片集成度和成本的要求也越来越高，因此亟需一种新的静电释放保护电路。

发明内容

本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。

本申请实施例的一个目的在于提供一种静电释放保护电路，该电路通过若干个二极管组件的连接，可以降低硅光芯片的有源器件遭到静电损坏的风险，提高硅光芯片的品质；而且该电路结构简单，可以提高芯片集成度的同时降低封装成本。

为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：

第一方面，本申请实施例提供了一种静电释放保护电路，该静电释放保护电路用于与有源器件并联；所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件；所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联；

或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件；所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。

另外，根据本申请中上述实施例的一种静电释放保护电路，还可以有以下附加的技术特征：

进一步地，本申请实施例中，所述第一二极管组件包括一个或者一个以上的二极管；所述第二二极管组件包括一个或者一个以上的二极管。

进一步地，本申请实施例中，所述第一二极管组件中二极管的数量与所述第二二极管组件中二极管的数量相同。

进一步地，本申请实施例中，所述第一二极管组件包括一个N阱与至少一个P+离子注入区；所述P+离子注入区与所述N阱连接。

进一步地，本申请实施例中，所述二极管为齐纳二极管。

进一步地，本申请实施例中，所述第三二极管组件包括一个或者一个以上的二极管；所述第四二极管组件包括一个或者一个以上的二极管。

进一步地，本申请实施例中，所述二极管包括P区与N区；所述P区与所述N区为轻掺杂区。

进一步地，本申请实施例中，所述第三二极管组件与所述第四二极管组件中二极管的数量相同。