[发明专利]一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置在审
| 申请号： | 202111092240.5 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115831956A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 周扬;沈百林;李蒙 | 申请（专利权）人： | 中兴光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 陈均钦 |
| 地址： | 210012 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 释放 保护 电路 单元 以及 芯片 装置 | ||
1.一种静电释放保护电路，其特征在于，该静电释放保护电路用于与有源器件并联；所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件；所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联；
或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件；所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。
2.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一二极管组件包括一个或者一个以上的二极管；所述第二二极管组件包括一个或者一个以上的二极管。
3.根据权利要求2所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一二极管组件中二极管的数量与所述第二二极管组件中二极管的数量相同。
4.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一二极管组件包括一个N阱与至少一个P+离子注入区；所述P+离子注入区与所述N阱连接。
5.根据权利要求3所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述二极管为齐纳二极管。
6.根据权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第三二极管组件包括一个或者一个以上的二极管；所述第四二极管组件包括一个或者一个以上的二极管。
7.根据权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述二极管包括P区与N区；所述P区与所述N区为轻掺杂区。
8.据权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第三二极管组件中二极管的数量与所述第四二极管组件中二极管的数量相同。
9.一种静电释放保护单元，其特征在于，包括有源器件和权利要求1-8任一项所述的静电释放保护电路。
10.根据权利要求9所述的静电释放保护单元，其特征在于，所述静电释放保护电路和所述有源器件并联设置于硅光芯片衬底上。
11.根据权利要求10所述的静电释放保护单元，其特征在于，所述有源器件包括调制器、探测器、光衰减器或有源电阻中的至少一种器件。
12.一种芯片，其特征在于，包括至少一个权利要求9-11所述的静电释放保护单元。
13.一种装置，其特征在于，包括至少一个权利要求12所述的芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴光电子技术有限公司，未经中兴光电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111092240.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种泡沫局部清洗装置及其控制方法
- 下一篇：一种方便拆装的动态混合器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
