[发明专利]金属层作为源区的P型MOSFET结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111091024.9 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113793873A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 代萌 | 申请（专利权）人： | 江苏格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/47;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属层作为源区的P型MOSFET结构及其制备方法，包括自下而上依次设置的P型基片、P‑型外延层、外延层表面注入N型杂质形成的沟道区、与外延层表面形成肖特基接触作为源区的金属层以及介质层，所述介质层、金属层、沟道区和P‑型外延层内设有填充有P型重掺杂多晶硅的沟槽，该P型重掺杂多晶硅四周包覆有一层栅氧。本发明将肖特基金属作为源区相比于现有技术中将多晶硅作为源区，因金属层铺在整个外延层表面，可改善电流均匀性，提升散热效率；还能避免多晶硅和硅表面形成的栅氧厚度不一可能导致的结构缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 作为 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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