[发明专利]一种用于优化饱和电压/关断损耗的绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202111088801.4 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113871469A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陆潇;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 200241 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于优化饱和电压/关断损耗的绝缘栅双极型晶体管，包括沟槽栅，在相邻设置在沟槽栅之间具有台面区，在台面区设有若干个阻塞沟槽栅，阻塞沟槽栅通过发射极接触与发射极金属连接，沟槽栅还与发射极金属连接。本申请在不增加制程难度的情况下，通过在沟槽栅之间的台面区引入阻塞沟槽栅可将台面区的有效宽度进一步缩小，进而使得IGBT器件在开启状态下载流子浓度从A型分布变成B型分布，从而进一步减少关断过程中的损耗。发射极接触的尺寸以及发射极接触与沟槽栅之间的距离没有特别的制程控制。上述台阶面宽度可进一步缩小而不会受到发射极接触的尺寸及对准的限制；阻塞沟槽栅与发射极接触相邻不会因沟槽栅的增多而使得Qg显著增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 优化 饱和 电压 损耗 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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