[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 202111083691.2 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113539939A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 熊珊珊;李波;谢荣源 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146;H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器；形成方法包括：提供衬底；刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽；从沟槽处向衬底中实施氧离子注入，氧离子与沟槽下方及周侧的衬底发生反应生成隔离氧化层；形成隔离层，隔离层填充沟槽。本发明先形成隔离氧化层（靠下），再形成隔离层（靠上），通过垂直于衬底方向上的隔离氧化层和隔离层共同起隔离作用，隔离氧化层形成于衬底中，如此沟槽可以做的更浅，以尽可能减小沟槽表面，从而减少刻蚀沟槽过程中等离子体轰击导致的沟槽表面损伤。氧离子注入形成的隔离氧化层与衬底之间的界面缺陷减少，表面暗电流降低，提高了STI结构制成的器件性能，改善了CMOS图像传感器的噪声现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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