[发明专利]一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺在审
| 申请号： | 202111082067.0 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113808955A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李伟 | 申请（专利权）人： | 安徽大衍半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司： | 合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34143 | 代理人： | 曹雪娇 |
| 地址： | 247100 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低芯片Wire‑Bond裂率的工艺，包括以下步骤：S1加热烧球、S2焊头移至第一焊点、S3第一焊点压焊、S4放线转移、S5焊头移至第二焊点、S6第二焊点压焊、S7拉断尾丝和S8焊头复位；所述焊线为金银合金线，包含金、银、钯，其中银的质量分数不低于94.5％。焊线2更换为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％，含钯量2.8％～3.5％的SAG5‑Ag金银合金线，SAG5‑Ag金银合金线相对于镀钯铜线来说质地较软，在压焊的过程中，SAG5‑Ag金银合金线可以充分形变，减小对键合衬垫4的压力，防止键合衬垫4在压焊过程中碎裂，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 芯片 wire bond 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
