[发明专利]一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺

说明书

本发明提供了一种降低芯片Wire‑Bond裂率的工艺，包括以下步骤：S1加热烧球、S2焊头移至第一焊点、S3第一焊点压焊、S4放线转移、S5焊头移至第二焊点、S6第二焊点压焊、S7拉断尾丝和S8焊头复位；所述焊线为金银合金线，包含金、银、钯，其中银的质量分数不低于94.5％。焊线2更换为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％，含钯量2.8％～3.5％的SAG5‑Ag金银合金线，SAG5‑Ag金银合金线相对于镀钯铜线来说质地较软，在压焊的过程中，SAG5‑Ag金银合金线可以充分形变，减小对键合衬垫4的压力，防止键合衬垫4在压焊过程中碎裂，提高良品率。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺。

背景技术

现有的SDC5091系列产品在进行Wire-Bond加工工艺时，均通过镀钯铜线进行引线键合，在对镀钯铜线进行压焊的过程中，由于镀钯铜线的硬度较大，不能够在压焊过程中充分形变，不能将瓷嘴焊头下压过程中的动能抵消，导致压焊过程对铜线的下压力大部分作用与键合衬垫，使得键合衬垫容易破损，使得Wire Bond工艺弹坑裂纹不良较多，产品良率低，生产效率低下。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供了一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺，包括以下步骤：

S1加热烧球、瓷嘴焊头在加热位置，对焊线的端头加热，将焊线的端头融化成金属圆球；

S2焊头移至第一焊点、移动瓷嘴焊头至瓷嘴焊头处于键合衬垫的正上方，下移瓷嘴焊头到达第一焊点位置；

S3第一焊点压焊、瓷嘴焊头下压，瓷嘴焊头将焊线端头的金属圆球在键合衬垫表面压成饼状，将焊线焊接在键合衬垫表面；

S4放线转移、移动瓷嘴焊头至导线框架的正上方，同时放出焊线2；

S5焊头移至第二焊点、瓷嘴焊头下移到第二焊点的位置；

S6第二焊点压焊、瓷嘴焊头下压，瓷嘴焊头将焊线压焊在导线框架表面；

S7拉断尾丝、瓷嘴焊头上提，将焊线拉断；

S8焊头复位、瓷嘴焊头复位到加热位置，重复进行S1～S7步骤。

所述焊线为金银合金线，包含金、银、钯，其中银的质量分数不低于94.5％。

作为上述技术方案的改进，所述金银合金线，其中金银合金线为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％、含钯量2.8％～3.5％的SAG5-Ag金银合金线。

作为上述技术方案的改进，所述第一焊点压焊力度为120g，第二焊点压焊力度为88g。

本发明的有益效果：

1、焊线更换为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％，含钯量2.8％～3.5％的SAG5-Ag金银合金线，SAG5-Ag金银合金线相对于镀钯铜线来说质地较软，在压焊的过程中，SAG5-Ag金银合金线可以充分形变，减小对键合衬垫的压力，防止键合衬垫在压焊过程中碎裂，提高良品率；

2、SAG5-Ag金银合金线由于质地较软，在压焊过程可以充分形变，提高焊点的接触面，便于提高焊接的牢固性，同时在键合衬垫和导线框架搭线时对焊线进行塑形。

附图说明

图1为本发明实施例所述一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺流程图；

图2为本发明实施例所述一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺焊头工作示意图；