[发明专利]复合材料异质结的制备方法在审
| 申请号： | 202111081892.9 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113889564A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张浩;何珂;李琳;冯硝;宋文玉;苗文韬;姜钰莹;杨帅;臧运祎;耿祖汗;仝冰冰 | 申请（专利权）人： | 北京量子信息科学研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王勤思 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及异质结制备技术领域，具体而言，涉及一种复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
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