[发明专利]倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111076283.4 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113659001A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宁殿华;蒋胜;柳永胜;程新;刘栋尧 | 申请（专利权）人： | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；在凹槽中生长第三钝化层；在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；通过腐蚀液对第三钝化层进行湿法腐蚀，形成具有倾斜面的第三钝化层，腐蚀液对第三钝化层的腐蚀速率大于腐蚀液对第一介质层的腐蚀速率；去除掩膜；在第三钝化层的倾斜面上形成金属场板。本发明基于湿法腐蚀的各向同性及腐蚀液对不同钝化层腐蚀存在选择比的特性，有针对性地腐蚀掩膜下方的第三钝化层，第一钝化层充当腐蚀停止层，阻止腐蚀作用的进一步扩散，从而形成具有一定角度的倾斜面，最终在倾斜面上形成金属场板。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 制造 方法 hemt 器件 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州英嘉通半导体有限公司，未经苏州英嘉通半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111076283.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
