[发明专利]倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；

在凹槽中生长第三钝化层；

在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；

通过腐蚀液对第三钝化层进行湿法腐蚀，形成具有倾斜面的第三钝化层，腐蚀液对第三钝化层的腐蚀速率大于腐蚀液对第一介质层的腐蚀速率；

去除掩膜；

在第三钝化层的倾斜面上形成金属场板。

2.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述钝化层结构包括第一钝化层，凹槽形成于第一钝化层内，第一钝化层为氧化硅层或氮化硅层，厚度为0.5μm～6μm，凹槽宽度为1μm～10μm，凹槽底部厚度为10nm～300nm。

3.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述钝化层结构包括第一钝化层及位于第一钝化层上的第二钝化层，凹槽形成于第二钝化层内，第一钝化层为氧化硅层或氮化硅层，厚度为10nm～300nm，第二钝化层为有机薄膜层，厚度为0.5μm～6μm之间，凹槽宽度为1μm～10μm。

4.根据权利要求2或3所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，未被所述掩膜覆盖的第三钝化层的间距为0.5μm～2μm。

5.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述第三钝化层为氧化硅层，所述掩膜为单层掩膜或双层掩膜；或，所述第三钝化层为氮化硅层，所述掩膜为单层掩膜。

6.根据权利要求5所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述双层掩膜包括形成于钝化层结构及部分第三钝化层表面的第二掩膜及形成于第二掩膜表面的第一掩膜，第一掩膜为光刻胶、氮化硅或金属掩膜，第二掩膜为金属掩膜，第二掩膜的厚度为1nm～50nm，所述第二掩膜上施加有阴极偏压；和/或，

所述腐蚀液为氢氟酸溶液或氢氟酸缓冲液，腐蚀液对第三钝化层及第一介质层的选择比为40:1～60:1；和/或，

所述倾斜面的倾角为0～45°。

7.根据权利要求5所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述单层掩膜为氮化硅、氮化硅、光刻胶或金属掩膜；和/或，

所述腐蚀液为浓度大于或等于85％的磷酸溶液，腐蚀温度大于或等于140℃，腐蚀液对第三钝化层及第一介质层的选择比为50:1～100:1；和/或，

所述倾斜面的倾角为45°～75°。

8.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述金属场板通过溅射工艺、蒸镀工艺或电镀工艺形成；和/或，

所述金属场板形成于第三钝化层的全部或部分倾斜面、以及全部或部分凹槽内壁上；和/或，

所述金属场板的材质可为金属和/或金属化合物，金属包括金、铂、镍、钛、铝、钯、钽、钨中的一种或多种，金属化合物包括氮化钛、氮化钽中的一种或多种。

9.一种HEMT器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供衬底；

在衬底上外延生长沟道层及势垒层，形成异质结；

刻蚀异质结，形成栅极区域、源极区域和漏极区域；

在栅极区域、源极区域和漏极区域中分别形成栅极、源极和漏极；

采用权利要求1～8中任一项所述的倾斜场板的制造方法，在栅极和/或源极上方形成倾斜场板。

10.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件通过权利要求9中的制造方法制造而得，其包括：

衬底；

位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层，所述异质结中形成有栅极区域、源极区域和漏极区域；

栅极、源极和漏极，分别形成于栅极区域、源极区域和漏极区域中；

钝化层结构，位于异质结及栅极、源极和漏极上方，钝化层结构中形成有凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；

第三钝化层，形成于所述凹槽中，所述第三钝化层具有倾斜面；

金属场板，形成于第三钝化层的倾斜面上。