[发明专利]倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111076271.1 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113659000A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宁殿华;蒋胜;柳永胜;程新;刘栋尧 | 申请（专利权）人： | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在第一钝化层上形成光刻胶掩膜；通过曝光显影工艺，在光刻胶掩膜上形成梯形结构；在光刻胶掩膜的梯形结构中填充第二钝化层；去除光刻胶掩膜；在第一钝化层及第二钝化层上形成第三钝化层，第三钝化层包括倾斜面；在第三钝化层上形成金属场板，金属场板至少形成于第三钝化层的全部或部分倾斜面上。本发明通过光刻胶掩膜形成梯形结构，并将梯形结构的倾斜面转移到钝化层上，进而在钝化层上制备倾斜场板；倾斜场板的制造工艺简单可行，且倾角和长度可调控。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 制造 方法 hemt 器件 及其 | ||
【主权项】：
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