[发明专利]倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在第一钝化层上形成光刻胶掩膜；

通过曝光显影工艺，在光刻胶掩膜上形成梯形结构；

在光刻胶掩膜的梯形结构中填充第二钝化层；

去除光刻胶掩膜；

在第一钝化层及第二钝化层上形成第三钝化层，第三钝化层包括倾斜面；

在第三钝化层上形成金属场板，金属场板至少形成于第三钝化层的全部或部分倾斜面上。

2.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜为负性光刻胶掩膜、或正性光刻胶掩膜或反转光刻胶掩膜；和/或，

所述光刻胶掩膜的厚度为1μm～12μm。

3.根据权利要求2所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，“通过曝光显影工艺，在光刻胶掩膜上形成梯形结构”具体为：

对负性光刻胶掩膜进行前烘，并对预设区域外的区域进行曝光，进行烘烤后通过显影液溶解未曝光的预设区域，形成梯形结构；或，

对正性光刻胶掩膜进行前烘，并对预设区域进行曝光，采用氯苯溶液、或苯溶液、或甲苯溶液浸泡后，进行烘烤后通过显影液溶解被曝光的预设区域，形成梯形结构；或，

对反转光刻胶掩膜进行前烘，并对预设区域外的区域进行第一次曝光，再对整个反转光刻胶掩膜进行第二次曝光，进行烘烤后通过显影液显影液溶解未进行第一次曝光的预设区域，形成梯形结构。

4.根据权利要求3所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜为负性光刻胶掩膜时，前烘温度为90℃～120℃，前烘时间为60s～300s，曝光时间为40s～120s，烘烤温度为60℃～120℃，烘烤时间为60s～300s，显影时间为40s～180s，曝光采用宽带光源，波长365nm～420nm；

所述光刻胶掩膜为正性光刻胶掩膜时，前烘温度为90℃～100℃，前烘时间为60s～300s，曝光时间为40s～120s，氯苯溶液、或苯溶液、或甲苯溶液浸泡时间为5min～15min，烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为10min～20min，显影时间为40s～120s，曝光采用宽带光源，波长365nm～420nm；

所述光刻胶掩膜为反转光刻胶掩膜时，前烘温度为90℃～100℃，前烘时间为60s～300s，第一次曝光时间为2s～60s，烘烤温度为100℃～120℃，烘烤时间为60s～300s，第二次曝光时间为20s～120s，显影时间为30s～90s，曝光采用宽带光源，波长365nm～420nm。

5.根据权利要求4所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述梯形结构中的侧面为平面或弧面，侧面与底面的倾角为30°～80°。

6.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层为氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层中的一种或多种的组合，厚度为10nm～300nm；和/或，

所述第二钝化层为聚酰亚胺层和/或苯并环丁烯层，厚度为1μm～8μm；和/或，

第三钝化层为氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层中的一种或多种的组合，厚度为10nm～1μm。

7.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层采用多次旋转涂胶的方式形成。

8.根据权利要求1所述的倾斜场板的制造方法，其特征在于，所述金属场板通过溅射工艺、蒸镀工艺或电镀工艺形成；和/或，

所述金属场板形成于第三钝化层的全部或部分倾斜面、以及全部或部分平面上；和/或，

所述金属场板的材质为金属和/或金属化合物，金属包括金、铂、镍、钛、铝、钯、钽、钨中的一种或多种，金属化合物包括氮化钛、氮化钽中的一种或多种。