[发明专利]基板缺陷标记方法和装置在审
| 申请号： | 202111068490.5 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113782464A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 粘巧芸 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/88;G06T7/00;G06T7/11;G06T7/70 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种基板缺陷标记方法和装置。一种基板缺陷标记方法，包括：获取可靠度试验前基板的第一图像；获取可靠度试验后该所述基板的第二图像；根据所述第一图像和所述第二图像，确定所述基板的缺陷区域；在所述基板的表面中对应于所述基板的缺陷区域的待标记区域进行标记。有针对性地对该缺陷区域对应的待标记区域进行标记，不容易出现缺陷标记的误判，也有利于以此缺陷推断出基板在长时间使用后可能产生的缺陷，有利于针对此缺陷进行提前改善。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 标记 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
