[发明专利]一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111067785.0 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113782444A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崔同;朱开兴;万兴兴 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 董雪 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，包括：在重掺杂的衬底上生长设定掺杂浓度和厚度的外延层，在外延层形成沟槽；在所述沟槽表面形成厚氧化层，再沉积多晶硅填满沟槽；将沟槽内多晶硅刻蚀至设定高度，采用湿法刻蚀沟槽表面的厚氧化层，以实现侧壁厚氧化层刻蚀干净，底部沟槽厚氧化层保留；然后刻蚀多晶硅直至多晶硅表面与厚氧表面平齐；生长栅氧化层，形成MOSFET器件。本发明不需要用到高密度等离子体设备和化学机械研磨设备等相对昂贵的工艺设备，可以降低制造成本，同时达到底部厚氧沟槽MOSFET器件具备的优势效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 沟槽 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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