[发明专利]一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111067785.0 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113782444A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崔同;朱开兴;万兴兴 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 董雪 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底部 沟槽 mosfet 器件 制造 方法 | ||
1.一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
在重掺杂的衬底上生长设定掺杂浓度和厚度的外延层，在外延层形成沟槽；
在所述沟槽表面形成厚氧化层，再沉积多晶硅填满沟槽；
将沟槽内多晶硅刻蚀至设定高度，采用湿法刻蚀沟槽表面的厚氧化层，以实现侧壁厚氧化层刻蚀干净，底部沟槽厚氧化层保留；然后刻蚀多晶硅直至多晶硅表面与厚氧表面平齐；
生长栅氧化层，形成MOSFET器件。
2.如权利要求1所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在外延层通过光刻和刻蚀工艺形成沟槽，所述沟槽底部圆滑处理。
3.如权利要求1所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述沟槽表面形成厚氧化层，具体包括：
采用热氧工艺在沟槽表面生长厚氧化层；
或者，采用热氧+淀积氧化层的复合氧，形成厚氧化层。
4.如权利要求1所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，将沟槽内多晶硅刻蚀至设定高度，所述设定高度满足：大于沟槽厚氧化层的厚度。
5.如权利要求4所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，通过控制多晶硅刻蚀的高度，以控制沟槽厚氧化层的纵向刻蚀量。
6.如权利要求4所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽厚氧化层经过刻蚀保留沟槽底部弧形部分。
7.如权利要求1所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述生长栅氧化层，具体包括：
采用热氧工艺生长栅氧化层，沟槽底部的多晶同时被氧化，使得沟槽底部中间位置氧化层隆起，以加厚沟槽底部氧化层。
8.如权利要求1所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述形成MOSFET器件的过程具体包括：
淀积多晶硅将沟槽填满，进行多晶回刻，形成栅极多晶；注入掺杂形成P型半导体和N+区，并通过打孔，贯穿层间介质将源极金属和N+源区形成欧姆接触，以使得栅极多晶连接到栅极金属。
9.如权利要求8所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，通过注入硼原子形使得外延层硅表面形成P型半导体，然后通过注入As离子，使得外延层沟槽与沟槽间的硅台面表面形成N+区。
10.如权利要求9所述的一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，形成N+区之后，再覆盖未掺杂硅玻璃或掺磷硼硅玻璃，在外延层沟槽与沟槽间的硅台面位置开孔并淀积接触金属，在接触金属表面淀积Al金属形成电极，栅极多晶通过布图，在沟槽两端或中间打孔引出连接到栅极金属。
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