[发明专利]一种钙钛矿薄膜制备方法在审
申请号: | 202111040461.8 | 申请日: | 2021-09-06 |
公开(公告)号: | CN113782683A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 姚诗熠 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 南京千语知识产权代理事务所(普通合伙) 32394 | 代理人: | 尚于杰;祁文彦 |
地址: | 210000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿薄膜制备方法,包括:准备ITO基片、制备空穴传输层、空穴/钙钛矿界面修饰层、钙钛矿薄膜活性层等;本发明所述的钙钛矿薄膜制备方法无需使用前驱体溶液和转化溶液,所以不存在组分反应不完全和碘化铅残留的问题,且没有其他附加产物的残留。该方法通过抽气替代反溶剂的作用,使钙钛矿湿膜中的溶剂快速挥发,无需对环境有害的、滴加技术要求高的反溶剂,并且抽气操作简单,对湿膜中溶剂抽取均匀,可制备出拥有大尺寸晶粒的均匀钙钛矿薄膜。真空条件的控制也更易于复刻,制备薄膜重复性更佳。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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