[发明专利]一种晶圆背面节水节能的加工工艺在审
| 申请号： | 202111034325.8 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113745096A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈爱军;杨天生;俞斌 | 申请（专利权）人： | 苏州芯汇晶成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 杨寒来 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面节水节能的加工工艺，包括如下步骤：S101、提供半导体晶圆，在晶圆的正面贴保护膜，对晶圆的背面进行机械减薄；S102、将背面减薄后的晶圆，采用腐蚀液对其进行腐蚀处理；S103、将晶圆的正面的保护膜去除，并快速转移至第一清洗槽内，采用清洗液对晶圆进行第一次清洗；将经过第一次清洗后的晶圆转移至第二清洗槽内，采用氢氟酸溶液对其进行第二次清洗，然后将经过第二次清洗后的半导体晶圆快速转移至另一清洗槽内，再采用一定量的纯水对晶圆进行第三次清洗，将第三次清洗使用后的混合液进行回收，并导入到第一清洗槽内，以供下一批次的晶圆第一次清洗使用。本发明的优点是：有利于节约水源，保护环境，降低企业的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 节水 节能 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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