[发明专利]一种晶圆背面节水节能的加工工艺在审
| 申请号： | 202111034325.8 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113745096A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈爱军;杨天生;俞斌 | 申请（专利权）人： | 苏州芯汇晶成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 杨寒来 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 节水 节能 加工 工艺 | ||
1.一种晶圆背面节水节能的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S101、提供半导体晶圆，在晶圆的正面贴保护膜，利用物理机械磨削工艺对所述晶圆的背面进行机械减薄；
S102、将S101背面减薄后的半导体晶圆，放入腐蚀设备内，采用腐蚀液对半导体晶圆进行腐蚀处理；
S103、将S102处理后的半导体晶圆的正面的保护膜去除，并快速转移至第一清洗槽内，采用清洗液对半导体晶圆以浸泡或者喷淋的方式进行第一次清洗；将经过第一次清洗后的半导体晶圆转移至第二清洗槽内，采用氢氟酸溶液对半导体晶圆进行第二次清洗，然后将经过第二次清洗后的半导体晶圆快速转移至另一清洗槽内，再采用一定量的纯水对晶圆进行第三次清洗，将第三次清洗使用后的混合液进行回收，并导入到第一清洗槽内，以供下一批次的半导体晶圆第一次清洗使用；
S104、对S103处理后的半导体晶圆进行干燥，对半导体晶圆的背面进行金属蒸发处理，在硅片背面形成金层后检验。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面节水节能的加工工艺，其特征在于：在步骤S102中，所述腐蚀液由硝酸、氢氟酸和醋酸混合而成，其混合比例为硝酸：氢氟酸：醋酸＝22：1：5。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆背面节水节能的加工工艺，其特征在于：在步骤S103中，所述清洗液为硝酸、氢氟酸和醋酸的混合腐蚀液进行固定比例稀释而得，所述清洗液配比比例为混合腐蚀液：纯水＝1:20000。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆背面节水节能的加工工艺，其特征在于：在步骤S103的第二次清洗中，还包括先对半导体晶圆进行一步微蚀的步骤，用于微蚀的氢氟酸溶液中，氢氟酸含量为0.8wt％。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面节水节能的加工工艺，其特征在于：在经过步骤S103的第三次清洗后回收的混合液中氢氟酸的含量为0.00004wt％。
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