[发明专利]一种晶圆背面节水节能的加工工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆背面节水节能的加工工艺，包括如下步骤：S101、提供半导体晶圆，在晶圆的正面贴保护膜，对晶圆的背面进行机械减薄；S102、将背面减薄后的晶圆，采用腐蚀液对其进行腐蚀处理；S103、将晶圆的正面的保护膜去除，并快速转移至第一清洗槽内，采用清洗液对晶圆进行第一次清洗；将经过第一次清洗后的晶圆转移至第二清洗槽内，采用氢氟酸溶液对其进行第二次清洗，然后将经过第二次清洗后的半导体晶圆快速转移至另一清洗槽内，再采用一定量的纯水对晶圆进行第三次清洗，将第三次清洗使用后的混合液进行回收，并导入到第一清洗槽内，以供下一批次的晶圆第一次清洗使用。本发明的优点是：有利于节约水源，保护环境，降低企业的生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆背面节水节能的加工工艺。

背景技术

在晶圆的生产中，其表面往往会沾染各种挥发物，形成杂质。特别是金属杂质的形成影响了晶圆的加工效果，严重的话对后续半导体的加工和使用造成不良的后果。因此要对晶圆进行清洗。如图2所示，传统的清洗工艺中，最后一步晶圆采用纯水清洗后，清洗液是直接排放掉的，这样不仅会造成大量的资源浪费，而且还会增加企业的生产成本，影响企业的经济效益。因此，应该提供一种技术方案解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶圆背面节水节能的加工工艺，旨在解决现有的晶圆清洗后，清洗液直接排放，带来的资源浪费，生产成本增加的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了以下技术方案：

一种晶圆背面节水节能的加工工艺，包括如下步骤：

S101、提供半导体晶圆，在晶圆的正面贴保护膜，利用物理机械磨削工艺对所述晶圆的背面进行机械减薄；

S102、将S101背面减薄后的半导体晶圆，放入腐蚀设备内，采用腐蚀液对半导体晶圆进行腐蚀处理；

S103、将S102处理后的半导体晶圆的正面的保护膜去除，并快速转移至第一清洗槽内，采用清洗液对半导体晶圆以浸泡或者喷淋的方式进行第一次清洗；将经过第一次清洗后的半导体晶圆转移至第二清洗槽内，采用氢氟酸溶液对半导体晶圆进行第二次清洗，然后将经过第二次清洗后的半导体晶圆快速转移至另一清洗槽内，再采用一定量的纯水对晶圆进行第三次清洗，将第三次清洗使用后的混合液进行回收，并导入到第一清洗槽内，以供下一批次的半导体晶圆第一次清洗使用；

S104、对S103处理后的半导体晶圆进行干燥，对半导体晶圆的背面进行金属蒸发处理，在硅片背面形成金层后检验。

进一步的，

在步骤S102中，所述腐蚀液由硝酸、氢氟酸和醋酸混合而成，其混合比例为硝酸：氢氟酸：醋酸＝22：1：5。

在步骤S103中，所述清洗液为硝酸、氢氟酸和醋酸的混合腐蚀液进行固定比例稀释而得，以达到保证表面不被过度腐蚀且完成清洗的微蚀清洗效果，所述清洗液配比比例为混合腐蚀液：纯水＝1:20000。

在步骤S103的第二次清洗中，还包括先对半导体晶圆进行一步微蚀的步骤，用于微蚀的氢氟酸溶液中，氢氟酸含量为0.8wt％。

在经过步骤S103的第三次清洗后回收的混合液中氢氟酸的含量为0.00004wt％。

本发明提供的，同现有技术相比，具有以下技术效果：

本发明的晶圆背面节水节能的加工工艺，在清洗步骤中，将第三次清洗使用后的混合液进行回收，并导入到第一清洗槽内，供下一批次的半导体晶圆第一次清洗使用，相比于现有的直接将清洗液排放而言，有利于节约水源，保护环境，降低企业的生产成本。

附图说明