[发明专利]一种PVD技术生长大尺度IV-VI族化合物单晶薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 202111033351.9 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113789575B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王春香;赵洪泉;石轩;张国欣;张炜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B23/06;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 杨秋妹 |
| 地址： | 400714 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PVD技术生长大尺度IV‑VI族化合物单晶薄膜材料的方法，具体包括三个主要阶段：第一阶段是准备材料，优化选择多晶粉源的重量；第二阶段将粉源和衬底放入石英管中，设置好粉源和衬底分别在石英管中的位置；第三阶段利用物理气相沉积技术生长单晶薄膜，通过优化粉源的升温速率、保温温度和时间，衬底温度，气流速度，制备出大尺度和具有规则条带形状的层状薄膜材料，为大尺度IV‑VI族单晶薄膜的实验制备及其应用奠定了重要的技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvd 技术 生长 尺度 iv vi 化合物 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学，未经中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111033351.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据同步冗余系统及其控制方法
- 下一篇：一种自吸尘式数控打磨抛光装置
