[发明专利]一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺在审
| 申请号： | 202111030211.6 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113707537A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 周祥 | 申请（专利权）人： | 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 221400 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于硅基材料技术领域，尤其是一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺，针对存在的介电和疏水效果不佳问题，现提出以下方案，包括以下步骤，S1，在薄膜生产时，准备洁净基片，镀膜前对基底进行严格的清洗，先把基片浸泡在丙酮溶液中25‑30min,然后利用超声波清洗机将基片进行超声振荡50‑60min，再用工业酒精重复擦洗，最后用低温氮气吹干。本发明利用采用溶胶—凝胶技术、蒸发诱导自组装法,通过酸/酸二步法控制工艺条件，制备的薄膜经过六甲基二硅胺烷(HMDS)表面修饰后具有良好的疏水性能和热稳定性，作为低介电材料能更好满足工业需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 基材 二氧化硅 薄膜 生成 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州金琳光电材料产业研究院有限公司，未经徐州金琳光电材料产业研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111030211.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
