[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111027439.X | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114141874A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 河定穆 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李小爽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了功率半导体器件及其制造方法。该功率半导体器件包括碳化硅(SiC)的半导体层，形成为从半导体层的表面凹陷到半导体层中达给定深度的至少一个沟槽，至少形成在至少一个沟槽的内表面上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的至少一个栅电极层，形成在至少一个栅电极层下方的半导体层中的漂移区，其包括与至少一个沟槽的底表面的部分接触的突出部，形成在半导体层中与漂移区接触同时围绕至少一个沟槽的侧表面和底边缘的阱区，以及形成在阱区中的源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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