[发明专利]用于射频单芯片集成的图形化氧化夹层布局SOI晶圆结构在审
| 申请号： | 202111023606.3 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274850A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉;黄安东 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/12;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于射频单芯片集成的图形化氧化夹层布局SOI晶圆结构。所述SOI晶圆结构包括依次叠层设置的衬底、第一绝缘层和外延层，其中，所述第一绝缘层的表面具有第一区域以及不同于第一区域的第二区域，所述第一绝缘层的第一区域开设有沿厚度方向贯穿所述第一绝缘层的图形窗口，所述图形窗口内填充有硅层，所述硅层分别与所述外延层、衬底导热连接；以及源极、漏极、栅极以及与栅极相匹配的场板。本发明实施例提供的SOI晶圆结构，减小了上层硅器件的厚度，使得氧化层上的LDMOS器件的LDD结深触底到氧化层上，进而减小了Cds，降低了Cdb，并能够显著减小Coss、改善LDMOS的高频性能和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 芯片 集成 图形 氧化 夹层 布局 soi 结构 | ||
【主权项】：
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