[发明专利]一种SOI结构及制造方法、MEMS器件及制造方法

摘要

本发明涉及一种SOI结构及制造方法，还涉及利用该SOI结构制造的MEMS器件以及制造该MEMS器件的方法；主要将SOI结构的绝缘层设计为氧化硅‑氮化硅‑氧化硅多层结构，并在氮化硅层上形成凸起的挡墙结构，在制造MEMS器件时，利用上二氧化硅层作为隔离槽深硅刻蚀的停止层，保证了深硅刻蚀有足够的工艺窗口，规避了因隔离槽刻蚀不充分进而导致短路的致命问题；在去除刻蚀梳齿电极和隔离槽的掩膜层时，通过湿法刻蚀工艺代替现有工艺中的VHF气相刻蚀技术，利用氮化硅层作为湿法刻蚀的停止层，隔离槽底部两侧的氮化硅挡墙结构能够有效阻止湿法刻蚀过程中对绝缘层的侧向腐蚀，有助于提高隔离槽的绝缘效果和器件的可靠性。