[发明专利]垂直型存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111014170.1 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113725301A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘金营 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201306 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直型存储器件及其制备方法。器件包括下逻辑单元及上逻辑单元，上逻辑单元位于下逻辑单元的上方，且与下逻辑单元接触；下逻辑单元包括基底及第一栅极结构层，基底内形成有第一源区、第一漏区及第一沟道区，第一沟道区位于第一源区和第一漏区之间，且均相邻接，第一栅极结构层位于第一沟道区的上表面；上逻辑单元包括第二源区、第二漏区、第二沟道区和第二栅极结构层，在第一栅极结构层上方依次堆叠，第二栅极结构层包括第二栅介质层及第二栅金属层，第二栅介质层绕设于第二沟道区的周向上，第二栅金属层绕设于第二栅介质层的周向上，上逻辑单元的漏极同时作为下逻辑单元的电容器。本发明可以降低动态电荷刷新时间。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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