[发明专利]半导体可饱和吸收组件及锁模器有效
| 申请号： | 202111011488.4 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113783081B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 龙跃金;陆众;胡江民 | 申请（专利权）人： | 光越科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/02 | 分类号： | H01S3/02;H01S3/11 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 廖慧贤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道桂香社区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体可饱和吸收组件及锁模器，本申请的半导体可饱和吸收组件包括第一壳体、第二壳体、可饱和吸收体、第一调节组件和第二调节组件。第一调节组件设置于第一壳体、第二壳体表面，用于调节可饱和吸收体向上移动或向下移动；第二调节组件设置于第一壳体、第二壳体表面，用于调节可饱和吸收体向左移动或向右移动。本申请通过第一调节组件、第二调节组件能够改变可饱和吸收体在半导体可饱和吸收组件中的位置，从而切换不同的可饱和吸收点、实现多点工作，提高可饱和吸收体的利用率，减少对可饱和吸收体的损伤，进而能够延长使用寿命。此外，半导体可饱和吸收组件结构简单，成本低，便于规模化使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 饱和 吸收 组件 锁模器 | ||
【主权项】：
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