[发明专利]一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器在审
| 申请号： | 202111011105.3 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113687529A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;潘安;曾成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，属于光通信器件技术领域。器件从下往上依次包括：衬底层、埋氧层、器件层、波导包覆层，所述器件层依次包括铌酸锂光波导、包层介质、电极组，所述包层介质的介电常数高于波导包覆层的介电常数，且所述包层介质的折射率低于铌酸锂光波导的折射率。本发明的调制器，通过在铌酸锂器件层和包覆层之间引入包层介质，因其具有较高的射频介电常数，且在通讯波段具有很高的光学透明度，使得在不引入额外光学损耗的前提下，增加了铌酸锂波导中的射频信号的电场分压，从而提高了电光调制效率。同时具有损耗低、结构紧凑等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 折射率 介电常数 薄膜 铌酸锂 电光 调制器 | ||
【主权项】：
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