[发明专利]一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器在审
| 申请号： | 202111011105.3 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113687529A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;潘安;曾成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 折射率 介电常数 薄膜 铌酸锂 电光 调制器 | ||
1.一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，从下往上依次包括：衬底层(1)、埋氧层(2)、器件层(3)、波导包覆层(4)，所述器件层(3)依次包括铌酸锂光波导(301)、包层介质(302)、电极组(303)，所述包层介质(302)的介电常数高于波导包覆层(4)的介电常数，且所述包层介质(302)的折射率低于铌酸锂光波导(301)的折射率。
2.根据权利要求1所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)的介电常数不低于8。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)的光学折射率介于1.45-2之间。
4.根据权利要求3所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)覆盖在铌酸锂光波导(301)的上表面，仅包含铌酸锂光波导(301)上表面与电极组(303)下表面没有接触的部分。
5.根据权利要求4所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)还包含铌酸锂光波导(301)上表面与电极组(303)下表面接触的部分或电极组(303)的上表面部分或电极组(303)的侧壁。
6.根据权利要求5所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)的材料为碳酸钙、钙钛矿、氧化镁、氧化锶或氧化钡。
7.根据权利要求6所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)的厚度不小于50nm。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述包层介质(302)采用热蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积技术将包层介质覆盖在铌酸锂光波导表面。
9.根据权利要求8所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂光波导(301)的厚度在300nm-1000nm之间。
10.根据权利要求9所述的一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂光波导(301)为脊形波导或条形波导。
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