[发明专利]改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法在审
| 申请号： | 202111010790.8 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782424A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王海霞;刘英华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅极结构。步骤二、进行自对准的轻掺杂漏注入形成轻掺杂漏区。步骤三、在各第一栅极结构的两侧面上自对准形成侧墙。步骤四、对需要进行热载流子注入可靠性提升的第一MOS晶体管的第一栅极结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层至少覆盖侧墙的侧面。步骤五、进行源漏注入形成第一MOS晶体管的源漏区，第一MOS晶体管的源漏注入以第一掩膜层为掩膜，通过侧墙侧面的第一掩膜层厚度调节有效轻掺杂漏区的宽度。本发明能改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性，能通过对现有光刻掩膜版进行改进即可实现，所以工艺简单且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 mos 晶体管 载流子 注入 可靠性 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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