[发明专利]改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法

权利要求书

1.一种改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于，包括：

步骤一、在半导体衬底上形成多个由第一栅介质层和多晶硅栅叠加而成的第一栅极结构；

步骤二、以所述第一栅极结构的两个侧面为自对准条件进行轻掺杂漏注入形成轻掺杂漏区；

步骤三、在各所述第一栅极结构的两侧面上自对准形成侧墙；

步骤四、对需要进行热载流子注入可靠性提升的第一MOS晶体管的所述第一栅极结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层至少覆盖所述第一栅极结构两侧的所述侧墙的侧面；

步骤五、进行源漏注入形成所述第一MOS晶体管的源漏区，所述第一MOS晶体管的源漏注入以所述第一掩膜层为掩膜；所述源漏区会叠加在所述轻掺杂漏区上，所述源漏区和对应所述第一栅极结构的侧面的间距为未叠加所述源漏区的有效轻掺杂漏区的宽度，通过所述侧墙侧面的所述第一掩膜层厚度调节所述有效轻掺杂漏区的宽度并提升所述第一MOS晶体管的热载流子注入可靠性。

2.如权利要求1所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：所述第一掩膜层采用通过光刻工艺形成的光刻胶图形组成。

3.如权利要求2所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：所述半导体衬底上还同时集成有第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的工作电压低于所述第一MOS晶体管的工作电压；

在所述第二MOS晶体管的形成区域中年不需要形成所述第一掩膜层，在步骤五中，所述第二MOS晶体管的形成区域中直接以所述第一栅极结构侧面的所述侧墙为自对准条件进行所述源漏注入。

4.如权利要求3所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：所述第一MOS晶体管和输入输出MOS晶体管，所述第二MOS晶体管为核心MOS晶体管。

5.如权利要求4所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：所述第一MOS晶体管分为第一NMOS和第一PMOS，所述第二MOS晶体管分为第二NMOS和第二PMOS。

6.如权利要求5所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：步骤二中，所述轻掺杂漏注入包括分开进行的N型轻掺杂漏注入和P型轻掺杂漏注入；

所述N型轻掺杂漏注入同时形成所述第一NMOS和所述第二NMOS的轻掺杂漏区；

所述P型轻掺杂漏注入同时形成所述第一PMOS和所述第二PMOS的轻掺杂漏区。

7.如权利要求5所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：步骤五中，所述源漏注入包括分开进行的N型源漏注入和P型源漏注入，包括如下分步骤：

采用光刻工艺形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形将所述第一PMOS和所述第二PMOS的形成区域覆盖，在所述第一NMOS的形成区域中所述第一光刻胶图形作为所述第一掩膜层并覆盖在所述第一NMOS管的第一栅极结构的侧面和顶部表面，所述第二NMOS管的形成区域被打开；

以所述第一光刻胶图形为掩膜进行N型源漏注入同时形成所述第一NMOS的源漏区和所述第二NMOS的源漏区；

采用光刻工艺形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形将所述第一NMOS和所述第二NMOS的形成区域覆盖，在所述第一PMOS的形成区域中所述第二光刻胶图形作为所述第一掩膜层并覆盖在所述第一PMOS管的第一栅极结构的侧面和顶部表面，所述第二PMOS管的形成区域被打开；

以所述第二光刻胶图形为掩膜进行P型源漏注入同时形成所述第一PMOS的源漏区和所述第二PMOS的源漏区。

8.如权利要求7所述的改善MOS晶体管的热载流子注入可靠性的工艺方法，其特征在于：所述第一光刻胶图形的第一源漏注入掩膜版通过修改逻辑运算规则形成所述N型源漏注入对应的所述第一掩膜层的图形结构；

所述第二光刻胶图形的第二源漏注入掩膜版通过修改逻辑运算规则形成所述P型源漏注入对应的所述第一掩膜层的图形结构。