[发明专利]AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 202111009443.3 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113707776A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;王新;薛聪;王庶民;董建荣 | 申请（专利权）人： | 材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括衬底和依次形成在衬底上的Al |
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| 搜索关键词： | aln 紫外 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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