[发明专利]低锡含量ITO溅射靶材、制备方法及薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 202111006574.6 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113735565B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 周贤界;卢晓鹏;徐红星;黄勇彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市众诚达应用材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/626;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 林俭良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低锡含量ITO溅射靶材、制备方法及薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：S1、制备氢氧化铟、氢氧化锡或氢氧化铟锡浓缩浆料，并加入表面活性剂进行均质处理；S2、将浓缩氢氧化物浆料进行喷雾干燥，获得氢氧化物粉体；S3、将氢氧化物粉体进行煅烧，获得氧化物粉体；S4、将煅烧后氧化物粉体与有机分散剂、粘结剂、消泡剂进行球磨混合，得到氧化物浆料；S5、将氧化物浆料进行喷雾造粒，获得氧化物造粒粉体；S6、将氧化物造粒粉体等静压成型获得靶材素坯；S7、将靶材素坯进行脱脂和高温烧结，获得低锡含量ITO溅射靶材。本发明制备的低锡含量ITO溅射靶材致密度高、晶粒细小、成分与组织分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 含量 ito 溅射 制备 方法 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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