[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法及一种单晶长晶炉、单晶长晶炉的加热装置在审
| 申请号： | 202110992230.0 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113652740A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 田义良;廖青春;苗双柱;高广进;曹桂莲;赵新田 | 申请（专利权）人： | 宁波合盛新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 315314 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶制备技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的制备方法及一种单晶长晶炉、单晶长晶炉的加热装置。本发明提供了一种单晶长晶炉的加热装置，包括第一加热器1和第二加热器2，所述第二加热器2包括多个独立工作的加热单元21，所述第一加热器1为蛇形加热器或平面螺旋形加热器，所述加热单元21为环形加热器，本发明提供的加热装置能够实现对所述单晶生长腔内的温度进行精确控制，从而制备SiC单晶时能够得到高质量、大尺寸的SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 方法 单晶长晶炉 加热 装置 | ||
【主权项】：
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