[发明专利]一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110992143.5 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113707804A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 卢世阳;张静;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/04;H01L43/14;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及隧穿磁电阻领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结，其中，所述底电极层包括衬底和顺次覆盖于所述衬底之上的底部重金属层，顶部重金属层。可见，本发明示意的自旋轨道矩存储器，通过将原重金属层的单层结构变更为多层结构，使衬底之上的重金属层结构厚度增加，增大了刻蚀制程中对刻蚀精度和刻蚀时间的调节范围，降低了因刻蚀精度异常引发的制程不良的风险。且由于多层金属层结构在实际应用中也具有更大的自旋霍尔角，从而更利于降低电流翻转密度，利于器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 轨道 磁存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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