[发明专利]一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结(3)，

其中，所述底电极层包括衬底和顺次覆盖于所述衬底之上的底部重金属层(1)，顶部重金属层(2)。

2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结(3)设置于所述顶部重金属层(2)之上，所述磁隧道结(3)包括自由层，非磁性势垒层、固定层和覆盖层，其中，所述自由层设置于所述顶部重金属层(2)之上，所述非磁性势垒层设置于所述自由层之上、所述固定层自由层非磁性势垒层，所述覆盖层设置于所述磁隧道结顶层。

3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结(3)还包括：钉扎层和反铁磁层，所述钉扎层位于固定层之上，所述反铁磁层位于钉扎层之上，以及覆盖层之下，其中，所述固定层、所述钉扎层和所述反铁磁层作为人工反铁磁耦合层(4)。

4.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述底部重金属层(1)由可产生自旋霍尔角的金属得到。

5.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述顶部重金属层(2)材料的类别包括以下至少一种：重金属单质，重金属氧化物，重金属氮化物，合金，反铁磁磁性材料，晶体薄膜，多晶薄膜，非晶薄膜，外尔半金属，二维电子气以及非磁性金属单质。

6.根据权利要求1所述的自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述底部重金属层(1)方阻值是所述顶部重金属层(2)方阻值的至少2倍。

7.一种自旋轨道矩磁存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在底电极层之上构建底部重金属层；

在所述底部重金属层之上构建所述顶部重金属层；

在所述顶部重金属层构建磁隧道结。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在底电极层之上构建底部重金属层包括：

通过溅射的方式在底电极层之上构建底部重金属层；

在所述底部重金属层之上构建所述顶部重金属层；

通过溅射的方式在所述底部重金属层之上构建所述顶部重金属层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述底部重金属层之上构建所述顶部重金属层之后，在所述顶部重金属层构建磁隧道结之前，还包括：

在所述顶部重金属层之上通过溅射的方式构建磁隧道结膜层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过以下三种方式构建所述磁隧道结：涂胶、显影、刻蚀。