[发明专利]一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 202110984168.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113636844B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 秦明礼;王月隆;田建军;吴昊阳;贾宝瑞;张一铭;章林;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 制备 高强 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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