[发明专利]一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 202110984168.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113636844B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 秦明礼;王月隆;田建军;吴昊阳;贾宝瑞;张一铭;章林;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 制备 高强 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将氮化硅粉体、烧结助剂和有机溶剂混合均匀，其氮化硅粉体与烧结助剂的质量比为95～90:10～5。
(2)将步骤(1)中混合料进行喷雾造粒，得到球形造粒粉。
(3)将步骤(2)中造粒粉称量、模压、等静压，经脱脂后再进行两步烧结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述氮化硅粉体金属杂质含量小于1wt％，α相含量大于90wt％，氧含量为0.6～2.0wt％。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述烧结助剂为稀土氧化物和碱土金属氧化物混合；其中稀土氧化物为氧化镱、氧化钇、氧化铌或氧化镧中的一种，其含量是氮化硅粉体的3～6wt％；碱土金属氧化物为氧化镁，其含量是氮化硅粉体氧含量的2.5～4倍。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的造粒粉粒径为30～120μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述两步烧结包括：第一步将脱脂后坯体在1300℃～1450℃常压预处理1～5h，并伴有流动的氮气；第二步是在1800℃～1950℃、0.9～10MPa氮气压力下进行高温烧结5～20h。
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