[发明专利]基板处理方法、存储介质以及基板处理装置在审
| 申请号： | 202110983823.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114141657A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 野田朋宏;武内亮太;加藤宽三;高柳康治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B05D3/00;B05C9/14;B05C13/02;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制基板间的膜厚变动。基板处理方法包括以下过程：进行液处理，所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于处理位置的基板的表面供给处理液、以及在供给处理液后将基板以能够在基板的表面上形成处理液的覆膜的方式保持；以及在液处理前进行调节液处理单元中的、在执行液处理时对基板的温度产生影响的构件的温度的调温处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 存储 介质 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
