[发明专利]基板处理方法、存储介质以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制基板间的膜厚变动。基板处理方法包括以下过程：进行液处理，所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于处理位置的基板的表面供给处理液、以及在供给处理液后将基板以能够在基板的表面上形成处理液的覆膜的方式保持；以及在液处理前进行调节液处理单元中的、在执行液处理时对基板的温度产生影响的构件的温度的调温处理。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置。

背景技术

在专利文献1中公开了一种处理方法，该处理方法的特征在于在向被处理体涂布处理液时使被处理体具有温度分布。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-36597号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够抑制基板间的膜厚变动的基板处理方法、存储介质以及基板处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括以下过程：进行液处理，所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于处理位置的基板的表面供给处理液、以及在供给处理液后，将基板以能够在基板的表面上形成处理液的覆膜的方式保持；以及在液处理之前进行用于调节液处理单元中的、在液处理的执行时对基板的温度产生影响的构件的温度的调温处理。

发明的效果

根据本公开，提供一种能够抑制基板间的膜厚变动的基板处理方法、存储介质以及基板处理装置。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式所涉及的基板处理系统的一例的立体图。

图2是示意性地表示涂布显影装置的一例的侧视图。

图3是表示液处理单元的一例的示意图。

图4是表示控制装置的硬件结构的一例的块图。

图5是表示基板处理方法的一例的流程图。

图6是表示液处理的一例的流程图。

图7是表示调温处理的一例的流程图。

图8是表示比较例所涉及的膜厚变动的测定结果的一例的曲线图。

图9是表示第一实施方式所涉及的膜厚变动的测定结果的一例的曲线图。

图10是表示第二实施方式所涉及的液处理单元的一例的示意图。

图11是表示基板处理方法的一例的流程图。

图12是表示调温处理的一例的流程图。

图13的(a)是表示比较例所涉及的膜厚变动的测定结果的一例的曲线图。图13的(b)和图13的(c)是表示第二实施方式所涉及的膜厚变动的测定结果的一例的曲线图。

图14是表示第三实施方式所涉及的液处理单元的一例的示意图。

图15是表示基板处理方法的一例的流程图。

图16是表示调温处理的一例的流程图。

图17是表示内杯的温度变化的一例的曲线图。

图18是表示基板处理方法的一例的流程图。