[发明专利]基板处理方法、存储介质以及基板处理装置在审
申请号: | 202110983823.0 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141657A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 野田朋宏;武内亮太;加藤宽三;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05D3/00;B05C9/14;B05C13/02;G03F7/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 存储 介质 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,包括以下过程:
进行液处理,所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对所述基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于所述处理位置的所述基板的表面供给所述处理液、以及在供给所述处理液后将所述基板以能够在所述基板的表面上形成所述处理液的覆膜的方式保持;以及
在所述液处理之前进行调节所述液处理单元中的、在执行所述液处理时对所述基板的温度产生影响的构件的温度的调温处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
根据所述液处理的开始定时来设定所述调温处理中的处理条件。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述构件包括保持部,所述保持部以将所述基板保持于所述处理位置的方式支承所述基板的背面,
所述调温处理包括通过对所述保持部供给第一流体来将所述保持部进行冷却。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
对所述基板的表面供给所述处理液包括一边通过与所述保持部连接的旋转驱动部使支承着所述基板的状态下的所述保持部旋转一边对所述基板的表面供给所述处理液,
对所述保持部供给所述第一流体包括对所述保持部的中央部供给所述第一流体。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述构件包括内杯,所述内杯是包围被保持于所述处理位置的所述基板的收容部中的、以接近所述基板的背面的外周部的状态配置的收容部,
所述调温处理包括通过对所述内杯供给第二流体来将所述内杯进行冷却。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
通过对所述内杯供给所述第二流体来将所述内杯进行冷却包括对所述内杯供给溶剂、以及在供给所述溶剂后维持不对所述内杯供给所述溶剂的状态。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理方法,其特征在于,
在从通过对所述内杯供给所述第二流体来将所述内杯冷却至目标温度起的规定时间内开始进行所述液处理。
8.根据权利要求5或6所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
在进行所述液处理后从所述处理位置搬出所述基板;以及
在从完成对所述基板的表面进行的所述处理液的供给起至开始从所述处理位置搬出所述基板为止的期间,对所述内杯供给所述第二流体。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述构件包括保持部,所述保持部以将所述基板保持于所述处理位置的方式支承所述基板的背面,
对所述基板的表面供给所述处理液包括一边使支承着所述基板的状态下的所述保持部旋转一边对所述基板的表面供给所述处理液,
所述调温处理包括通过使所述保持部在所述保持部未支承所述基板的状态下旋转来使所述保持部的温度上升。
10.根据权利要求3或4所述的基板处理方法,其特征在于,
所述构件包括保持部,所述保持部以将所述基板保持于所述处理位置的方式支承所述基板的背面,
对所述基板的表面供给所述液处理包括一边使支承着所述基板的状态下的所述保持部旋转一边对所述基板的表面供给所述处理液,
所述调温处理包括:在将被供给所述处理液的所述基板载置于所述保持部之前,通过使所述保持部在所述保持部未支承所述基板的状态下旋转来使所述保持部的温度上升;以及在使所述保持部的温度上升之后,对所述保持部供给所述第一流体。
11.一种计算机可读存储介质,存储有用于使装置执行根据权利要求1~10中的任一项所记载的基板处理方法的程序。
12.一种基板处理装置,具备:
液处理单元,其将基板保持于规定的处理位置并对所述基板的表面供给处理液;以及
控制单元,其控制所述液处理单元,
其中,所述控制单元使所述液处理单元执行液处理,所述液处理包括对被保持于所述处理位置的所述基板的表面供给所述处理液、以及在供给所述处理液后将所述基板以能够在所述基板的表面上形成所述处理液的覆膜的方式保持,
所述控制单元使所述液处理单元在所述液处理之前执行调温处理,在所述调温处理中,调节所述液处理单元中的、在执行所述液处理时对所述基板的温度产生影响的构件的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造