[发明专利]一种大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法有效
| 申请号： | 202110981778.5 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113774490B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 赵超;董涛;彭志强;贺利军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00;C30B15/36;C30B15/22 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法，大尺寸211晶向低位错密度锑化铟InSb晶体生长方法包括：制备满足位错精度要求的211晶向InSb籽晶；将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内，并控制炉膛内环境参数，以在InSb晶体生长过程中，In‑Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内；将制备好的211晶向InSb籽晶插入熔体表面进行熔接，并控制晶体拉速、转速以及坩埚转速，以使得InSb晶体横截面轮廓与圆形的相似度大于阈值。采用本发明制备InSb晶体，解决了籽晶位错的遗传效应，降低晶体生长过程中的热应力以及热应力差异，避免了In‑Sb比例失衡问题，从而减少位错缺陷，提高InSb晶体的质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 211 低位 密度 锑化铟 insb 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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