[发明专利]具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110980392.2 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114497044A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡镇宇 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包含：一基底、一单元胞电容器、一通道结构、一衬垫材料、一字元线以及一位元线。该单元胞电容器设置在该基底上。该通道结构设置在该单元胞电容器上，其中该通道结构包括一水平组件以及至少两个垂直组件，该至少两个垂直组件从该水平组件延伸，并由在该水平组件上的一沟道所隔开。该衬垫材料围绕每一垂直组件。该字元线包围该至少两个垂直组件，并部分充填该沟道。该位元线设置在该通道结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 栅极 晶体管 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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