[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板有效
| 申请号： | 202110973150.0 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113782493B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 卢马才;刘念 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，以同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，从而在形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔时，只需要刻蚀第一绝缘层和钝化层。而第一绝缘层刻蚀难度较低，第二绝缘层刻蚀难度较大，因此，同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，可以降低形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔的蚀刻难度，进而降低采用同一道光罩工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层的制程难度。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
