[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板有效

专利信息
申请号: 202110973150.0 申请日: 2021-08-24
公开(公告)号: CN113782493B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 卢马才;刘念 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 官建红
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法
【说明书】:

本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板,以同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层,从而在形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔时,只需要刻蚀第一绝缘层和钝化层。而第一绝缘层刻蚀难度较低,第二绝缘层刻蚀难度较大,因此,同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层,可以降低形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔的蚀刻难度,进而降低采用同一道光罩工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层的制程难度。

技术领域

本申请涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板。

背景技术

目前,由于液晶显示技术的成本较低,因此液晶显示技术在电视领域具有很强的市场竞争力。在液晶显示电视领域中,通常采用氢化非晶硅薄膜晶体管,且氢化非晶硅薄膜晶体管一般采用四道光刻工艺形成。

其中,为了减少制程时间,可以采用三道光刻工艺来形成薄膜晶体管。但采用三道光刻工艺来形成薄膜晶体管,制程难度较大。其中,采用三道光刻工艺来形成薄膜晶体管的难点主要在于采用一道光刻工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层难度较大。

因此,如何降低采用一道光刻工艺形成图案化的钝化层以及图案化的像素电极层的制程难度是面板厂家需要攻克的难关。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板,以解决现有技术中,采用一道光刻工艺形成图案化的钝化层以及图案化的像素电极层制程难度较大的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:

在所述衬底上设置栅极层,对所述栅极层进行图案化处理形成图案化的栅极层和连接走线;

在所述图案化的栅极层和所述连接走线上依次层叠设置第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述图案化的栅极层和所述衬底;

在所述第二绝缘层上依次层叠设置有源层和源漏极层,对所述源漏极层、所述有源层和所述第二绝缘层进行图案化处理形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层;

在所述图案化的源漏极层和所述第一绝缘层依次层叠设置钝化层和光刻胶层,且所述钝化层覆盖所述第一绝缘层;

对所述钝化层和所述光刻胶层进行图案化处理形成图案化的钝化层和图案化的光刻胶层;

在所述图案化的钝化层和所述图案化的光刻胶层上设置像素电极层,剥离所述图案化的光刻胶层,形成图案化的像素电极层。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述在所述衬底上设置栅极层,对所述栅极层进行图案化处理形成图案化的栅极层和连接走线,包括以下步骤;

在所述衬底上设置栅极层;

提供一栅极层光罩,以所述栅极层光罩为掩模对所述栅极层进行曝光显影处理,形成图案化的栅极层和连接走线。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述在所述第二绝缘层上依次层叠设置有源层和源漏极层,对所述源漏极层、所述有源层和所述第二绝缘层进行图案化处理形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层,包括以下步骤:

在所述第二绝缘层上依次层叠设置有源层和源漏极层;

在所述源漏极层上形成光阻层;

提供一源漏极层光罩,以所述源漏极层光罩为掩模对所述光阻层进行曝光显影处理,形成过渡光阻层;

以所述过渡光阻层为基准对所述有源层以及源漏极层进行刻蚀处理,形成过渡源漏极层和图案化的有源层;

以所述图案化的光阻层为基准对第二绝缘层进行刻蚀处理,形成图案化的第二绝缘层;

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