[发明专利]一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110972190.3 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113421927B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 许海东;谌容;王曦 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 陈琛 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法，该器件包括n型衬底上依次设置的n型缓冲层、n型漂移区和n型电流扩展层，n型电流扩展层上表面内包裹设置若干p阱区，每个p阱区上表面嵌有n |
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| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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