[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110965645.9 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113823675B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 源漏场 板结 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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