[发明专利]一种改善导通电阻特性的高压场效应管结构及制造方法有效
| 申请号： | 202110958826.9 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113851521B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;金锋;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善导通电阻特性的高压场效应管结构及制造方法，通过把漂移区场氧下的P型掺杂区和P阱连接，保证在切换到开态时有足够的空穴补充耗尽状态的P型掺杂区，提高P型掺杂区的耗尽恢复速度，解决开态时耗尽恢复不完全造成导通电阻变大的问题。通过高能注入，把漂移区场氧下的P型掺杂区注入到N型漂移区，远离场氧区的硅氧界面，在高压场效应管沟道宽度方向相隔一定距离把P型掺杂区和P阱一段相连，未连接部分形成漂移区上下双通道，减小开态时的电流路径，降低器件的导通电阻，而连接部分解决开态时耗尽恢复不完全造成导通电阻变大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 通电 特性 高压 场效应 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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