[发明专利]一种改善导通电阻特性的高压场效应管结构及制造方法

权利要求书

1.一种改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于，至少包括：

硅基板，位于所述硅基板上的N型漂移区；所述N型漂移区设有场氧隔离区；所述场氧隔离区下方设有P型掺杂区；所述P型掺杂区远离所述场氧隔离区底部；

位于所述硅基板上的P阱；所述P阱与所述P型掺杂区之间的N型积累区域；所述P型掺杂区经过所述积累区域延伸至所述P阱；

所述场氧隔离区靠近所述积累区域的一侧覆盖有多晶硅场板；所述P阱上设有延伸至所述积累区域上表面的栅极多晶硅；所述P阱和多晶硅重叠部分为沟道区域；所述栅极多晶硅与所述多晶硅场板连接；

靠近漏区的所述场氧隔离区上覆盖有多晶硅；所述多晶硅通过金属与所述漏区连接。

2.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述硅基板为P型衬底。

3.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述P阱为所述高压场效应管结构的源区。

4.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述P阱设有P+区和N+区，二者通过金属连接。

5.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：位于所述场氧隔离区上的所述多晶硅与所述漏区通过金属铝连接。

6.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：位于所述场氧隔离区上的所述多晶硅与所述漏区连接构成漏区场板。

7.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述栅极多晶硅与所述多晶硅场板连接构成栅极场板。

8.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述漏区设有N+区。

9.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：延伸至所述P阱的所述P型掺杂区的平面结构为多个长条形结构，并且相邻长条形结构相互间隔分布于所述场氧隔离区下方的所述P型掺杂区域所述P阱之间。

10.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述高压场效应管结构的平面结构中，所述漏区被源区包围。

11.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述高压场效应管结构的平面结构中，拐角的漏区或源区采用圆弧连接。

12.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述高压场效应管结构的平面结构为中间矩形、两头半圆连接形成的蛋型。

13.根据权利要求1所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构，其特征在于：所述高压场效应管结构的平面结构为漏区在内源区在外的圆形。

14.根据权利要求1至13任意一项所述的改善导通电阻特性的高压场效应管结构的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅基板，在所述硅基板上形成N型漂移区；所述N型漂移区作为漏区漂移区；在所述N型漂移区形成P阱；在所述N型漂移区的上表面形成场氧隔离区；在所述场氧隔离区的下方的所述N型漂移区形成P型掺杂区；所述P型掺杂区远离所述场氧隔离区底部；所述P阱与所述P型掺杂区之间的积累区域；所述P阱和多晶硅重叠部分为沟道区域；

步骤二、在所述场氧隔离区靠近所述积累区域的一侧覆盖多晶硅场板；在靠近所述漏区的所述场氧隔离区上覆盖多晶硅；在所述沟道区域上表面覆盖与所述多晶硅场板连接的栅极多晶硅；将所述多晶硅通过金属与所述漏区连接；

步骤三、将所述P型掺杂区104经过所述积累区域延伸至所述P阱，形成PTOP。