[发明专利]体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110955840.3 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113659009B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种体内异性掺杂的功率半导体器件及其制造方法，包括第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列，槽壁周围附有第一导电类型杂质；由于硅的介电系数是二氧化硅的三倍，在相同漂移区长度下，介质层能够取得更大的电场，提高击穿电压。槽壁用第一导电类型杂质包围住，由于MIS结构带来的辅助耗尽作用，大大提高了第二导电类型漂移区的浓度，降低比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 体内 异性 掺杂 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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